一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法
基本信息
| 申请号 | CN201210323522.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102820382A | 公开（公告）日 | 2012-12-12 |
| 申请公布号 | CN102820382A | 申请公布日 | 2012-12-12 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾锐;张巍;陈晨;张代生;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人 | 徐州中科立晟新能源技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所;徐州中科立晟新能源技术有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层，形成第I中间产物；在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层，形成第II中间产物；在所述第II中间产物的n型晶硅衬底前表面形成n+层，即前表面场形成第III中间产物；对所述第III中间产物进行高温退火，使n型晶硅衬底上形成p+发射结，形成第Ⅳ中间产物；将所述第Ⅳ中间产物氮化硅保护层和所述掺硼非晶硅除去，得到n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场。该方法成本低，并且p+型掺杂的均匀性较好。 |
