基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN200810104757.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101565855B | 公开（公告）日 | 2011-06-29 |
| 申请公布号 | CN101565855B | 申请公布日 | 2011-06-29 |
| 分类号 | C30B29/68(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 贾锐;李维龙;陈晨;刘明;陈宝钦;谢常青 | 申请（专利权）人 | 徐州中科立晟新能源技术有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所;徐州中科立晟新能源技术有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是一种基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法。本发明的主要特征是利用电子束蒸发设备在硅衬底上制备叠层硅量子点的方法。其主要步骤包括：在硅衬底上热氧化生长一层绝缘层二氧化硅；用电子束蒸发的方法将硅固体颗粒和二氧化铪固体颗粒混合物蒸发至绝缘层上；高温热退火。采用这种方法制备的量子点颗粒的大小约为3-6nm，可用于单电子器件或单电子存储器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 |
