一种太阳能电池片及其背面PECVD法和应用

基本信息

申请号 CN202110760598.4 申请日 -
公开(公告)号 CN113481487A 公开(公告)日 2021-10-08
申请公布号 CN113481487A 申请公布日 2021-10-08
分类号 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/06(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 宋飞飞;王英杰;任勇;何悦 申请(专利权)人 横店集团东磁股份有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 王艳斋
地址 322118浙江省金华市东阳市横店镇工业区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种太阳能电池片及其背面PECVD法和应用。所述背面PECVD法包括以下步骤:(1)吹扫循环:插有硅片的石墨舟进舟前,对炉管循环进行氮气冲洗和一次抽真空操作;(2)预处理:通入N2O;(3)镀膜处理:依次沉积背钝化膜、氮化硅膜和氧化硅膜,得到经过背面PECVD处理的硅片;(4)氮气清洗:取出插有硅片的石墨舟,用氮气清洗炉管。本发明在石墨舟进舟前,提前利用氮气吹扫清洗和真空沉降的循环的方式减少PECVD炉管内的颗粒数量,之后再进石墨舟,同时在炉管运行过程中保持相对低的气流量和低气压,避免了反应物过量,最终有效地降低了太阳能电池片的EL黑点污染。