一种硅衬底和将半导体器件与该硅衬底剥离的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410093908.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103824766B | 公开（公告）日 | 2017-03-22 |
| 申请公布号 | CN103824766B | 申请公布日 | 2017-03-22 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵春林;林岳明;汪英杰 | 申请（专利权）人 | 内蒙古华延芯光科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京权泰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 内蒙古华延芯光科技有限公司 |
| 地址 | 017000 内蒙古自治区鄂尔多斯市杭锦旗锡尼镇阿斯尔西街北地税小区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥离方法可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放，减少因应力释放不均匀造成半导体器件的开裂，有效而简单地将硅衬底与半导体器件进行剥离，提高了半导体器件的合格率。 |
