一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410093932.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103824915A | 公开（公告）日 | 2014-05-28 |
| 申请公布号 | CN103824915A | 申请公布日 | 2014-05-28 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 闫发旺;白俊春;汪英杰 | 申请（专利权）人 | 华延芯光（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京权泰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 华延芯光（北京）科技有限公司 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区宏达北路12号A813室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基发光二极管，其从下到上依次包括以下各层：蓝宝石衬底1；氮化镓层2，其作为缓冲层；非掺杂氮化镓层3；n型导电氮化镓层4；表面粗化不平的氮化铝硅层5；氮化铟镓/氮化镓多量子阱层6；和p型氮化镓层7。本发明还提供了上述氮化镓基发光二极管的制备方法。 |
