利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410227596.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103972336B | 公开（公告）日 | 2017-03-22 |
| 申请公布号 | CN103972336B | 申请公布日 | 2017-03-22 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵春林;汪英杰 | 申请（专利权）人 | 华延芯光（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京权泰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 内蒙古华延芯光科技有限公司 |
| 地址 | 017400 内蒙古自治区鄂尔多斯市杭锦旗锡尼镇阿斯尔西街北地税小区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法，包括以下步骤：A.在基底1上采用低温气相沉积技术生长GaN缓冲层2，其中所述低温是500℃；B.采用高温气相沉积技术在所述GaN缓冲层2上生长GaN半导体层3，其中所述高温是1050℃；C.对所述GaN半导体层3进行至少一次温度循环处理，其中每一次温度循环中将温度从1050℃降到500℃,再升温到1055℃，然后降温到1050℃；D.在经过温度循环处理后的GaN半导体层3上，继续生长后续的其它各层。经过本发明的方法得到的半导体器件，晶体的位错密度减少，LED器件的发光工作寿命延长。 |
