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降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法

基本信息

申请号 CN202011628082.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112853477B 公开（公告）日 2022-06-10
申请公布号 CN112853477B 申请公布日 2022-06-10
分类号 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 林通;梁万亮;丁亚国;马国忠;顾燕滨 申请（专利权）人 宁夏申和新材料科技有限公司
代理机构 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 -
地址 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法，属于单晶硅生产技术领域。在熔料工序结束后，增加消泡工序，通过将坩埚锅位提高至80mm～150mm，控制硅熔液液面温度为1480℃～1550℃，控制硅熔液液面上方气氛压力为0～1000pa的手段，提高硅熔液轴向温度梯度，加强硅熔液自然对流，并在此状态下，保持0.5h～2h后，进入稳定化工序。通过增加消泡工序，所拉制的单晶晶棒切片的次品率降低，尤其地，当采用热涂层的坩埚时，所拉制的单晶晶棒切片的次品率由0.5%降低至0.2%，效果显著。