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导流筒及单晶炉

基本信息

申请号 CN202023166476.2 申请日 -
公开（公告）号 CN214193510U 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN214193510U 申请公布日 2021-09-14
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 丁亚国;顾燕滨;梁万亮;马国忠 申请（专利权）人 宁夏申和新材料科技有限公司
代理机构 宁夏合天律师事务所 代理人 郑重
地址 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种导流筒及单晶炉，属于单晶设备技术领域。导流筒包括外壳、内胆及填充于所述外壳和所述内胆之间的绝热层，所述内胆包括钼金属部及高纯石墨部，所述钼金属部设置于所述高纯石墨部上。一方面，高纯石墨部靠近硅熔汤液面，钼金属部远离硅熔汤液面，因此降低钼金属扩散，提高单晶硅品质；另一方面，位于导流筒上部的钼金属部能够反射部分热量，增加温度梯度，提高单晶拉速。上述导流筒能够在保证单晶拉速的基础上，降低单晶硅金属杂质含量，提高单晶硅品质，延长单晶硅使用寿命。