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直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法

基本信息

申请号 CN202111639258.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114369866A 公开（公告）日 2022-04-19
申请公布号 CN114369866A 申请公布日 2022-04-19
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 丁亚国;李玲玲;梁万亮;马国忠;顾燕滨 申请（专利权）人 宁夏申和新材料科技有限公司
代理机构 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 孙彦虎
地址 750000宁夏回族自治区银川市开发区光明西路25号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。