一种坏点遮盖方法和系统

基本信息

申请号 CN201410631943.4 申请日 -
公开(公告)号 CN104333676B 公开(公告)日 2019-06-21
申请公布号 CN104333676B 申请公布日 2019-06-21
分类号 H04N5/21(2006.01)I; H04N17/00(2006.01)I 分类 电通信技术;
发明人 任立; 李国新; 吴大斌 申请(专利权)人 北京中星微人工智能芯片技术有限公司
代理机构 北京布瑞知识产权代理有限公司 代理人 广东中星微电子有限公司
地址 519031 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-15070
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供一种坏点遮盖方法和系统,解决了现有技术中由于芯片内SRAM的大小有限,而使得坏点表存储受限,以及芯片制造成本增加的问题。该坏点遮盖方法包括:将坏点表存储在芯片外部存储器;从所述芯片外部存储器中读取所述坏点表中的坏点坐标存入芯片内部存储器;根据所述芯片内部存储器中存储的坏点坐标,对落入所述坏点坐标的显示数据进行遮盖处理;清除所述芯片内部存储器中已完成遮盖处理的坏点坐标;继续从所述芯片外部存储器中读取坏点坐标存入所述芯片内部存储器已清除的存储空间。