一种后掺杂式N型接触钝化电池
基本信息
| 申请号 | CN201911036683.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110838528A | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN110838528A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | H01L31/068;H01L31/0288;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王伟;马志杰;张一波;顾文操;盛健;张淳 | 申请（专利权）人 | 张家港协鑫集成科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州翔远专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 姚惠菱 |
| 地址 | 201400 上海市奉贤区南桥镇江海经济园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域，本征多晶硅层设于n+多晶硅层与背面钝化层之间，n++重掺杂区域贯穿本征多晶硅层，n++重掺杂区域的内端与n+多晶硅层接触，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n++重掺杂区域的外端接触。本发明既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。 |
