一种气相二氧化硅的生产工艺

基本信息

申请号 CN201811213512.0 申请日 -
公开(公告)号 CN109231220B 公开(公告)日 2019-01-18
申请公布号 CN109231220B 申请公布日 2019-01-18
分类号 C01B33/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分类 -
发明人 游孟松;谢正奎;黄忠 申请(专利权)人 江西星火狮达科技有限公司
代理机构 南昌贤达专利代理事务所(普通合伙) 代理人 江西星火狮达科技有限公司
地址 330300江西省九江市永修县星火工业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种气相二氧化硅的生产工艺,将预处理后的有机硅浆渣和硅氧烷混合物进行两个阶段的高温燃烧后,在进行分级过滤可得30‑50纳米的气相二氧化硅产品,工艺原料采用的是有机硅生产中产生的浆渣,同时工艺过程不产生有害物质,安全环保,而且经过本发明制得的气相二氧化硅,不仅纯度较高,而且无毒无味无污染,耐高温效果好。