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去耦合电容电路结构

基本信息

申请号	CN202122278280.0	申请日	-
公开（公告）号	CN216488070U	公开（公告）日	2022-05-10
申请公布号	CN216488070U	申请公布日	2022-05-10
分类号	H01L29/423（2006.01）I;H01L23/52（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	熊剑锋;刘斌	申请（专利权）人	珠海妙存科技有限公司
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	-
地址	519000广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-40471（集中办公区）
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及集成电路设计技术领域，公开了一种去耦合电容电路结构，本实用新型包括PMOS管、NMOS管、第一多晶硅层、第二多晶硅层、第一至第四金属层及第一、第二基准多晶硅；PMOS管具有第一有源区、第一衬底以及第一栅极接触孔，第一有源区内设有第一源极接触孔阵列、第一栅极区和第一漏极接触孔阵列；NMOS管具有第二有源区、第二衬底以及第二栅极接触孔，第二有源区内设有第二源极接触孔阵列、第二栅极区及第二漏极接触孔阵列。本实用新型利用多晶硅层作为MOS管的栅极多晶硅结构，并使基准多晶硅并入到对应的多晶硅层，能够降低寄生电阻值；将金属层覆盖在对应的衬底、多晶硅层和基准多晶硅上，扩大接触面积，能够降低寄生电阻值且提高寄生电容值。