一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法

基本信息

申请号	CN202111205625.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113930735A	公开（公告）日	2022-01-14
申请公布号	CN113930735A	申请公布日	2022-01-14
分类号	C23C14/35（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	王世宽;宋永辉;徐伟	申请（专利权）人	无锡尚积半导体科技有限公司
代理机构	江苏智天知识产权代理有限公司	代理人	陈文艳
地址	214000江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法，针对现有技术中氧化钒膜厚均匀性较差的问题，提供了以下技术方案，包括真空腔室、溅射电源以及设于真空腔室的磁场装置，真空腔室顶部设有连接溅射电源的靶材，真空腔室底部设有用于沉积薄膜的衬底，真空腔室在衬底正上方中心区域设有挡片，真空腔室水平设置用于安装挡片的支撑杆，衬底的直径为200mm，挡片直径为80~90mm，挡片与衬底之间的距离为110‑130mm。通过挡片挡住部分要沉积在衬底中心区域的氧化钒粒子，从而减少氧化钒在衬底中心区域的沉积量，使氧化钒膜厚更均匀，当衬底的直径为200mm时，选用直径为80~90mm的挡片，并调节挡片与衬底之间的距离为110‑130mm时，能有效提高良率。