一种提升氧化钒刻蚀形貌的工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202111205628.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113948400A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113948400A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L21/4757（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋永辉;王世宽;王兆丰 | 申请（专利权）人 | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏智天知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈文艳 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提升氧化钒刻蚀形貌的工艺方法，针对F基在与氧化钒反应中形成化合物并且产生聚集现象，使深入到氧化钒内部的F基与周围的氧化钒产生反应而导致产生形状为圆弧形的刻蚀沟，导致良品率的下降的问题，提供了以下技术方案，包括刻气体增压装置、蚀反应腔室、衬底、沉降在衬底上的氧化钒薄膜，还包括分子泵，热交换器、射频电源和交射频发生器，刻蚀反应腔室中通入CL气并维持一定压力（一般为5~20mt），刻蚀工艺方法有步骤，首先对CL气进行电离，然后使电离后的带电离子体在交射频发生器的作用下形成双螺旋涡流并且向氧化钒薄膜的指定范围移动，经刻蚀使氧化钒薄膜形成的侧壁与衬底的夹角在85°～90°之间。 |
