一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202111204291.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113930741A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113930741A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | C23C14/56（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 宋永辉;王世宽;蔡浩杰 | 申请（专利权）人 | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏智天知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈文艳 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，针对由于高价态氧化钒掉落衬底导致氧化钒薄膜良率不达标的问题，提供了以下技术方案，步骤1，将衬底从真空室中移出，气嘴停止供氧气；步骤2，利用溅射电源，向靶材施加高频电力，以使靶材向真空室内溅射钒离子；步骤3，利用外力，将步骤2中的钒离子引导朝向真空室内的屏蔽件和气嘴的方向移动，并使钒离子附着在屏蔽件和气嘴上。利用纯钒的粘性，使高价态的氧化钒在气嘴和屏蔽件上固定牢固，不易掉落至氧化钒薄膜上，从而使氧化钒薄膜的钒元素的含量在可控的范围内，提高氧化钒薄膜的良率。 |
