一种用于晶圆的胶刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN202210026734.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114496777A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114496777A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王兆丰;王世宽;宋永辉 | 申请（专利权）人 | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州京昀知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明，能够提升刻蚀的均匀性。 |
