一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备
基本信息
| 申请号 | CN202111205635.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113930724A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113930724A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王世宽;宋永辉;史鹏 | 申请（专利权）人 | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏智天知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈文艳 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备，针对的问题，提供了以下技术方案，设备包括密封腔体，用于抽取真空，作为进行磁控溅射的环境；载片台，设置于密封腔体内；遮挡屏蔽件，设置于载片台和磁控溅射组件之间；移动部，与遮挡屏蔽件固定连接；控制器，与移动部电性连接；电压传感器，与磁控溅射组件和控制器电性连接。方法包括电压传感器检测磁控溅射组件的溅射电压，当溅射电压与设定电压一致时，电压传感器发送电信号至控制器，由控制器控制移动部带动遮挡屏蔽件移动，遮挡射向基片的靶材物质；当溅射电压与设定电压一致时，取消遮挡射向基片的靶材物质，便于使基片得到的氧化钒薄膜的成分更单一，提高质量。 |
