一种晶圆级封装瞬态电压抑制二极管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010165852.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111276393A | 公开（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申请公布号 | CN111276393A | 申请公布日 | 2020-06-12 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张志向;张玲玲 | 申请（专利权）人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 兰州锦知源专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 地址 | 741000甘肃省天水市秦州区环城西路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶圆级封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，通过对衬底外延片硅片一次清洗、对衬底硅片进行初始氧化、对具有氧化层的衬底硅片进行一次光刻、光刻的衬底片进行磷予扩散，通过磷予扩散，将正负极引到芯片正面，产品厚度可以根据背面减薄厚度(150‑300)±5um范围调整，通过正面金属化，衬底硅片依次进行Ti‑W金属溅射、蒸发AL金属；通过对衬底硅片进行正面焊盘金属化学镀Ni、Au，通过化学镀Ni、Au作为焊盘金属，将晶圆划片后焊接在电路板上，该产品不需要再做封装工艺。本发明不仅有效的减小了封装体积，降低了产品厚度，硅片生产后不需要再封装的晶圆级封装瞬态电压抑制二极管。 |
