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一种半导体制造用湿法氧化装置

基本信息

申请号 CN202020611027.5 申请日 -
公开（公告）号 CN211828682U 公开（公告）日 2020-10-30
申请公布号 CN211828682U 申请公布日 2020-10-30
分类号 H01L21/316(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 -
发明人 王昭 申请（专利权）人 天水天光半导体有限责任公司
代理机构 兰州锦知源专利代理事务所（普通合伙） 代理人 天水天光半导体有限责任公司
地址 741000甘肃省天水市秦州区环城西路7号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体制造用湿法氧化装置。包括扩散炉和水气供给管路，所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管、与氮气源连接的输氮管、与去离子水源连接的去离子水输送管，所述输氧管和输氮管上设置有开关阀和流量控制阀，所述去离子水输送管上设有开关阀和水泵，所述输氧管和输氮管连接于扩散炉的进气口，所述去离子水输送管伸入扩散炉的炉膛内。相较于现有的湿法水汽氧化设备，本实用新型采用去离子水直接输送进入扩散炉中进行汽化，能够保证去离子水蒸汽供应量的稳定，从而保证半导体元器件上氧化层生长速率稳定，一致性较好，同时简化了设备结构，降低了成本，并杜绝了人员操作过程发生烫伤的安全隐患。