反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法

基本信息

申请号 CN202010166234.9 申请日 -
公开(公告)号 CN111244037A 公开(公告)日 2020-06-05
申请公布号 CN111244037A 申请公布日 2020-06-05
分类号 H01L21/8222(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张志向;邓春茂 申请(专利权)人 天水天光半导体有限责任公司
代理机构 兰州锦知源专利代理事务所(普通合伙) 代理人 天水天光半导体有限责任公司
地址 741000甘肃省天水市秦州区环城西路7号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明是一种反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法,步骤为:a、衬底硅片清洗b、初始氧c、埋层光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗:h、初始氧化i、下隔离光刻j、注入硼,k、下隔离推结m、漂片n、清洗o、外延,P、衬底硅片清洗Q、初始氧化R、上隔离光刻T、硼扩散U、隔离扩散V、漂硼硅玻璃W、清洗X、氧化Y、N+光刻Z、清洗AA、磷扩散BB、磷再扩散CC、P+环光刻DD、硼离子注入EE、退火FF、引线孔光刻GG、清洗HH、Ni势垒金属蒸发II、硅化物形成JJ、Ni硅化物腐LL、正面金属Al蒸发MM、金属反刻。优点:采用这种工艺电路一致性好,封装体积小,封装良率高。