一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202010174293.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111341650A | 公开（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申请公布号 | CN111341650A | 申请公布日 | 2020-06-26 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 高彦平;张锦春 | 申请（专利权）人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 兰州锦知源专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 地址 | 741000甘肃省天水市秦州区环城西路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法。本方法在原来泡发射工艺基础上将扩散温度提高到了1150±20℃，通源时间减少到2～3分钟。另外，利用铝板散热快的特点，将发射区磷扩散完后的硅片在铝板上得到了快速降温。在集成电路生产中，本改进工艺可以做出浅结、反向电流放大系数较小即反向漏电流较小的晶体管，满足了电路要求，提高电路性能。 |
