一种半导体芯片正面焊接金属结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010361867.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111627826A | 公开（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申请公布号 | CN111627826A | 申请公布日 | 2020-09-04 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王元之;张志向 | 申请（专利权）人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 地址 | 741000甘肃省天水市秦州区环城西路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片正面焊接金属结构的方法，属于半导体集成电路及分立器件加工技术领域，该方法包括的步骤有：a、衬底硅片清洗；b、Ti‑W金属溅射处理；c、蒸发金属Al，本发明采用两种清洗液先后处理硅片使其洁净化，有利于Ti‑W金属溅射处理，能提高Ti‑W金属层的粘附性；在蒸发Al前Ti‑W金属溅射处理，能够避免蒸发Al对器件的损伤，防止金属Al电迁移到器件造成器件早期失效，提高了晶片的合格率。 |
