一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810540576.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108486554B | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN108486554B | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | C23C18/36;C23C18/44;C23C18/18 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张志向;任雄;张晶辉;蒋宇飞 | 申请（专利权）人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 甘肃省知识产权事务中心 | 代理人 | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 地址 | 741000 甘肃省天水市环城西路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺；其工艺步骤包括配制镀镍液、配置镀金液、氯化金活化液配置、一次镀镍、镍烧结、硝酸处理、二次镀镍和镀金；采用本发明的方法在半导体硅器件上形成的Ni、Au镀层，其镀层金属细腻、均匀，镀层金属颗粒小且致密，镀层粘附性好。 |
