基于离子注入的球面电极微半球谐振陀螺仪的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于离子注入的球面电极微半球谐振陀螺仪的制备方法

基本信息

申请号	CN201811118555.0	申请日	-
公开（公告）号	CN109115243B	公开（公告）日	2021-06-25
申请公布号	CN109115243B	申请公布日	2021-06-25
分类号	G01C25/00	分类	测量；测试;
发明人	王新龙;喻磊;庄须叶;王帆;曹卫达;吕杰	申请（专利权）人	安徽北方微电子研究院集团有限公司
代理机构	安徽省蚌埠博源专利商标事务所（普通合伙）	代理人	陈俊
地址	233000 安徽省蚌埠市经济开发区汤和路2016号
法律状态	-

摘要

本发明公开基于离子注入的球面电极微半球谐振陀螺仪的制备方法，包括以下步骤：在P型双抛硅片表面生长氮化硅薄膜，通过光刻与刻蚀形成各向同性腐蚀掩膜；在P型双抛硅片腐蚀出半球腔，去除氮化硅薄膜；氧离子注入形成埋氧层；在半球腔表面光刻电极图形、引线图形以及PAD图形，在所述图形之外的半球腔进行磷注入形成N型硅；在半球腔表面制备氧化硅层；在半球腔底部制备锚点，并腐蚀锚点部分的氧化硅层；在氧化硅层表面沉积多晶硅薄膜；保留在半球腔内的氧化硅层与与多晶硅薄膜分别构成牺牲层与谐振子；腐蚀牺牲层释放谐振子；制备盖帽进行键合封装，完成球面电极微半球谐振陀螺仪的制备；在制备过程中不损伤电极和球壳，且工艺简单、易于实现。