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一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法

基本信息

申请号	CN201710705841.6	申请日	-
公开（公告）号	CN107591472B	公开（公告）日	2019-07-16
申请公布号	CN107591472B	申请公布日	2019-07-16
分类号	H01L33/50;H01L33/52	分类	基本电气元件;
发明人	陈庆;司文彬;曾军堂	申请（专利权）人	贵州华创芯光科技有限公司
代理机构	北京风雅颂专利代理有限公司	代理人	华引芯（武汉）科技有限公司;贵州华创芯光科技有限公司
地址	430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室
法律状态	-

摘要

本发明涉及LED技术领域，特别是涉及一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法，所述具有高发光效率的LED芯片制备方法，包括以下步骤：（1）、将荧光胶涂覆在基底A表面，烘干后得到基片B；（2）、使基片B带正电荷，同时使玻璃微珠带负电荷，通过电荷吸附作用，使得玻璃微珠均匀紧密的分布于基层载膜表面，并经过压合，使玻璃微珠的一部分压合入荧光胶中，再经过高温烘烤固化，在基片B上植入玻璃微珠，得到基片C；（3）将荧光胶点涂在玻璃微珠上方，并加热使荧光胶固化，固化后的玻璃微珠完全包裹在内，即得到具有高发光效率的LED芯片。本发明通过玻璃微珠能够很好的将荧光粉发射的光收集起来，进而提高荧光粉的发射效率，提高LED发光效率。