一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710705841.6 申请日 -
公开(公告)号 CN107591472A 公开(公告)日 2018-01-16
申请公布号 CN107591472A 申请公布日 2018-01-16
分类号 H01L33/50;H01L33/52 分类 基本电气元件;
发明人 陈庆;司文彬;曾军堂 申请(专利权)人 贵州华创芯光科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 610091 四川省成都市青羊区蛟龙工业港东海路4座
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及LED技术领域,特别是涉及一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法,所述具有高发光效率的LED芯片制备方法,包括以下步骤:(1)、将荧光胶涂覆在基底A表面,烘干后得到基片B;(2)、使基片B带正电荷,同时使玻璃微珠带负电荷,通过电荷吸附作用,使得玻璃微珠均匀紧密的分布于基层载膜表面,并经过压合,使玻璃微珠的一部分压合入荧光胶中,再经过高温烘烤固化,在基片B上植入玻璃微珠,得到基片C;(3)将荧光胶点涂在玻璃微珠上方,并加热使荧光胶固化,固化后的玻璃微珠完全包裹在内,即得到具有高发光效率的LED芯片。本发明通过玻璃微珠能够很好的将荧光粉发射的光收集起来,进而提高荧光粉的发射效率,提高LED发光效率。