基于频率检测原理的MEMS压力传感器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110999892.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113447166A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113447166A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | G01L1/14（2006.01）I;G01L9/12（2006.01）I;G01L9/10（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 侯鸿道;兰之康;董振兴 | 申请（专利权）人 | 南京高华科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明;赵吉阳 |
| 地址 | 210049江苏省南京市经济开发区栖霞大道66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 基于频率检测原理的MEMS压力传感器，采用平面螺旋电感，且在该电感的一侧设置MEMS可变平行板电容，构成LC谐振电路；MEMS电容并联到CPW信号线和地线之间，其上极板为CPW信号线，且该上极板直接置于MEMS薄膜上，该MEMS薄膜正下方的衬底上设置凹槽，MEMS电容的下极板位于凹槽的底面和靠近地线的两个侧面上，且与地线相连；MEMS薄膜两端置于地线上，与凹槽形成密闭腔体。利用密闭腔体感测外部压强，当密闭腔体内外压差发生变化时，MEMS薄膜发生挠曲，引起MEMS电容的上极板和下极板之间的电容发生变化，使得CPW传输线上RF信号的谐振频率产生偏移，通过测量谐振频率值便可表征检测压力的大小。 |
