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一种基于相位检测原理的MEMS压力传感器及制备方法

基本信息

申请号 CN202110905535.3 申请日 -
公开（公告）号 CN113353883A 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN113353883A 申请公布日 2021-09-07
分类号 B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14;G01L9/12 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 李维平;兰之康;邵文东 申请（专利权）人 南京高华科技股份有限公司
代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司 代理人 李明;赵吉阳
地址 210049 江苏省南京市经济开发区栖霞大道66号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种基于相位检测原理的MEMS压力传感器及制备方法，包括：CPW传输线，设置在衬底上，该CPW传输线包括CPW信号线以及位于CPW信号线两侧的CPW地线，CPW信号线与CPW地线相互平行，凹槽设置在衬底上且位于CPW信号线下方；MEMS梁，位于凹槽的底面和靠近CPW地线的两个侧面上并呈倒置的拱桥状，且与CPW地线相连接；MEMS薄膜位于凹槽上方，并与CPW信号线的底面接触，其两端置于CPW地线上，并与凹槽形成密闭腔体。利用密闭腔体来感测外部环境的压强，RF信号在CPW传输线上传输前后的相位差发生变化，从而通过测量RF信号的相位便可获取环境压强。