一种沟槽式肖特基芯片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410210599.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103956390B | 公开（公告）日 | 2017-01-11 |
| 申请公布号 | CN103956390B | 申请公布日 | 2017-01-11 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吕新立;关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人 | 淄博美林电子有限公司 |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所 | 代理人 | 孙爱华 |
| 地址 | 255000 山东省淄博市张店区张柳路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种沟槽式肖特基芯片的制造方法，属于半导体器件制造领域。包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方的N型外延层（5），在N型外延层（5）上部刻蚀出多个沟槽（8），在沟槽（8）内形成氧化硅绝缘层（4）并填充有多晶硅3（3），在沟槽（8）上方依次形成肖特基界面（2）和金属层（1），其特征在于：在所述的沟槽（8）外侧设置有一个降压环（7），降压环（7）内由氧化硅绝缘层（4）填充。本发明的沟槽式肖特基芯片省去传统沟槽式肖特基芯片生产时接触孔光刻步骤，简化了生产工艺同时性能与传统沟槽式肖特基芯片相同。 |
