一种IGBT芯片
基本信息
| 申请号 | CN202121736458.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215299259U | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN215299259U | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 翟露青 | 申请（专利权）人 | 淄博美林电子有限公司 |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙爱华 |
| 地址 | 255000山东省淄博市张店区张柳路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种IGBT芯片，属于半导体技术领域。包括P型注入区（13），在P型注入区（13）上方依次设置有N型缓冲区（12）和N型漂移区（10），在N漂移区（10）的边缘处设置有耐压环（5），其特征在于：在所述耐压环（5）的外侧设置有绝缘层（4），绝缘层（4）自耐压环（5）的顶部向下延伸至N型漂移区（10）处。在本IGBT芯片中，通过在终端区的外侧形成绝缘层，减少了芯片外侧终端区的宽度，因此在相同的面积下增加了芯片有效区的面积，提高了电流的导通能力。相比较现有技术中氮化硅或者氧化硅钝化技术，使用玻璃钝化技术，能更好的抑制漏电流的产生，提高芯片的耐高温能力，提升了芯片的可靠性。 |
