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一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法

基本信息

申请号	CN201510436598.3	申请日	-
公开（公告）号	CN105118790B	公开（公告）日	2017-12-29
申请公布号	CN105118790B	申请公布日	2017-12-29
分类号	H01L21/60(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	李安	申请（专利权）人	淄博美林电子有限公司
代理机构	淄博佳和专利代理事务所	代理人	张雯
地址	255000 山东省淄博市张店区张柳路6号
法律状态	-

摘要

一种碳化硅二极管的耐高温封装框架制备方法，属于半导体器件制造设备领域。其特征在于，低温烧结步骤的具体工艺曲线为：将利用纳米银膏黏着有碳化硅晶粒（4）的框架主体（1）放入真空焊接炉中，抽真空到50~55mbar时再充氮气，以10~12℃/min升温至150~155℃后保温2~4min，再连续升温至185~190℃后保温8~12min，再升温至270~275℃，抽真空充氮气至5bar~15bar保持10~15min确保粘接强度，然后进行冷却，即完成碳化硅晶粒（4）和框架主体（1）的焊接。本发明利用了两个焊接区（冷却区和加热区）配合特殊的温度曲线，而且焊接过程中加一定的压力，缩短了焊接时间，提高了生产效率。