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一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法

基本信息

申请号 CN201310263685.4 申请日 -
公开（公告）号 CN103390566A 公开（公告）日 2013-11-13
申请公布号 CN103390566A 申请公布日 2013-11-13
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 蔡坚;魏体伟;王谦 申请（专利权）人 厦门清芯集成科技有限公司
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 代理人 陈潇潇;肖冰滨
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的目的是提供一种用于三维集成封装技术的圆片级键合方法，其属于低温的圆片键合方法，可以避免在高温下因焊料的软化出现凸点间的横向偏移或者金属键合过程中金属表面易氧化等问题。该方法包括：完成第一圆片的硅通孔、正面制备工艺、背面减薄以及背面制备工艺；在第一圆片的背面上涂覆第一干刻蚀型苯丙环丁烯并对第一干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化；通过对第一干刻蚀型苯丙环丁烯进行处理使得所述第一圆片的背面上的用于与已形成有硅通孔的第二圆片进行电学连接的部位暴露出来；将第二圆片与所述第一圆片进行对准键合，其中第二圆片的硅通孔与第一圆片的背面上的所述部位对准；以及完成第二圆片的硅通孔和背面工艺的制备。