一种MiniLED芯片及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911368214.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081832B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN111081832B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张帆 | 申请（专利权）人 | 福建兆元光电有限公司 |
| 代理机构 | 福州市博深专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 柯玉珊 |
| 地址 | 350109福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种Mini LED芯片及制造方法，包括依次堆叠而成的GaN基底、P型接触面及电流稳定层、P型电流注入层、P型焊接结合界面金属层、缓冲绝缘层、应力释放层、绝缘全光谱反射层、N型焊接结合界面金属层、N型电流注入层以及N型接触面及电流稳定层；本发明通过P型接触面及电流稳定层、P型电流注入层、缓冲绝缘层、应力释放层、N型电流注入层以及N型接触面及电流稳定层这些特殊功能层的使用，从而解决了耐电流问题、绝缘层应力问题、绝缘层粘附问题和焊盘与锡膏的粘附力问题，使得该Mini LED芯片的可靠性及各类性能具有优秀表现的同时，可以保证Mini LED芯片的生产效率和生产良率。 |
