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一种LED芯片的外延结构

基本信息

申请号 CN202120408080.X 申请日 -
公开（公告）号 CN214254447U 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN214254447U 申请公布日 2021-09-21
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘恒山;吴永胜;解向荣;曹鑫;唐允清;马野 申请（专利权）人 福建兆元光电有限公司
代理机构 福州市博深专利事务所（普通合伙） 代理人 唐燕玲
地址 350109福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种LED芯片的外延结构，包括衬底层、N型氮化镓层、量子阱层、含铟的隔离层及P型氮化镓层；所述N型氮化镓层、所述量子阱层、所述隔离层及所述P型氮化镓层由靠近所述衬底层至远离所述衬底层的方向依次排布；本实用新型在量子阱层和P型氮化镓层之间加入含铟的隔离层，铟能够发挥类似表面活性剂的作用，增加材料在生长过程中的表面迁移能力，使得其下已生长完成的量子阱层中可能已经产生的V型坑得到填充从而变小甚至填平，使得V型坑的数量减小及降低V型坑的深度，从而降低了V型坑带来的量子阱层电阻值下降及错位穿透的影响，提升了LED芯片的正向抗静电能力。