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一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构

基本信息

申请号 CN202110614947.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113363362A 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN113363362A 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘恒山;吴永胜;解向荣;曹鑫 申请（专利权）人 福建兆元光电有限公司
代理机构 福州市博深专利事务所（普通合伙） 代理人 颜丽蓉
地址 350109福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构，在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的一侧上生长预备2D层；在所述预备2D层远离所述缓冲层的一侧上生长3D层；本发明在缓冲层晶胞远离缓冲层的一侧上生长预备2D层，预备2D层能够填平缓冲层上的晶胞间隙，使得缓冲层生长有预备2D层的一侧形成较大的平台，在此基础上继续生长的3D层和2D层晶体更加规整，使得之后生长的N型氮化镓结构规整，从而实现质量提高，克服现有大规格衬底上晶胞间隙小，2D层和3D层的受间隙影响不规整导致N型氮化镓层生长质量低的问题，特别适用于在大规格衬底上生长高质量的外延结构。