一种氮化镓发光二极管LED外延片的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201910881609.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110504340B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN110504340B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B29/38（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 解向荣;吴永胜;张帆;刘恒山 | 申请（专利权）人 | 福建兆元光电有限公司 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址 | 350109福建省福州市闽侯县南屿镇福州市生物医药和机电产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种新型的氮化镓发光二极管（LED）外延片的生长方法。首先使用PECVD在蓝宝石上磁控溅射生长ALN薄膜缓冲层，再转移至MOCVD进行高温刻蚀，对AlN缓冲层进行粗化处理，形成岛状结构，然后退火后继续在MOCVD中二次生长ALN薄膜缓冲层，会增加ALN侧向生长，合并过程中位错会发生湮灭，可以降低ALN薄膜中的位错密度，再将生长ALN缓冲层完毕的蓝宝石衬底退火清洗后再转移至MOCVD腔室内再进行GaN基材料的生长，得到所述LED外延片。在此基础上生长的GaN基LED外延片晶体质量好、位错密度低、光效较传统的LED外延片提升约10%，同时抗静电能力提升显著。 |
