电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法及其电路
基本信息
| 申请号 | CN201810035565.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110047523B | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN110047523B | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | G11C5/14（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 黄志仁 | 申请（专利权）人 | 珠海兴芯存储科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静;安利霞 |
| 地址 | 519080广东省珠海市高新区金唐路1号港湾1号科创园湾9栋B区四层403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法。该方法包含下列步骤：建立写入电压及流过电阻性内存单元的写入电流；复制该写入电流，以产生复制写入电流；使该复制写入电流流过仿真电路，以产生仿真写入电压；将仿真写入电压以一随写入时间依比例微幅增加与参考电压相加，以产生写入参考电压；及根据写入参考电压来调整写入电压及写入电流，致使电阻性内存单元的两端跨压在写入期间保持固定或微幅增加。当该复制写入电流到达预定的目标电流值时，发出中止信号；及该中止信号将相关写入电路关闭，以使该电阻性内存单元的写入期间优化。 |
