高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺

基本信息

申请号 CN201810311883.6 申请日 -
公开(公告)号 CN108321134A 公开(公告)日 2018-07-24
申请公布号 CN108321134A 申请公布日 2018-07-24
分类号 H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16;H01L21/60 分类 基本电气元件;
发明人 王艳;鲍忠和;徐文艺 申请(专利权)人 黄山宝霓二维新材科技有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 245900 安徽省黄山市经济开发区梅林大道89号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺,其结构包括上表面图形化生长石墨烯的直接敷铜基板、MOSFET芯片、快速恢复二极管芯片、驱动芯片、印刷电路板、焊料层、石墨烯填充增强导热银胶、键合引线、引线框架、塑封外壳、石墨烯填充增强封装树脂。其中采用化学气相沉积法在直接敷铜基板上表面图形化生长石墨烯薄膜,通过发挥其优异的面内热传导性能,将高功率密度塑封式IPM模块的局部热点热量迅速横向传开,进而通过直接敷铜基板向外传导,降低模块最高温度。同时采用石墨烯填充增强导热胶及封装树脂,改善传统封装材料的热传导性能,有效提高模块的可靠性。