一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺

基本信息

申请号	CN201911277408.2	申请日	-
公开（公告）号	CN112992744A	公开（公告）日	2021-06-18
申请公布号	CN112992744A	申请公布日	2021-06-18
分类号	H01L21/673;H01L31/18;C23C16/32;C23C16/515;C30B25/00	分类	基本电气元件;
发明人	景彦姣;王朋;林海峰	申请（专利权）人	东方日升（洛阳）新能源有限公司
代理机构	洛阳高智达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李世平
地址	471000 河南省洛阳市偃师市工业区
法律状态	-

摘要

一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺，开始，充氮，开炉门，关炉门，慢抽，升温，恒温，恒压，预沉积，沉积步骤分成三次执行，在石墨舟表面填补沉积饱和后形成稳定的碳化硅SiC膜层，第一次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第二次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第三次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，抽真空，充氮气N2，抽真空，充氮气N2回常压，开炉门，取舟，采用甲烷、硅烷对PECVD清洗后的石墨舟进行预处理饱和，石墨舟内外表面的碳化硅SiC膜层即能起到耐腐蚀膜层的作用，也具为更光滑的石墨性质，能够形成对石墨舟的长效保护，同时大大减少了硅片与石墨舟舟片的之间的作用力，使硅片与石墨舟之间为更好的贴合效果。