一种VDMOS
基本信息
| 申请号 | CN201921176128.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209896066U | 公开（公告）日 | 2020-01-03 |
| 申请公布号 | CN209896066U | 申请公布日 | 2020-01-03 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）; H01L29/78（2006.01）; H01L21/336（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李学会; 黄昌民 | 申请（专利权）人 | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程爽 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种VDMOS。VDMOS包括若干个相互并联的元胞，所述每个元胞包括依次层叠的衬底、外延层和多晶硅栅；所述外延层包括P柱、N柱、P阱和耗尽层，所述P柱位于所述元胞中外延层上的两相对侧，所述P阱位于所述P柱的上方，所述耗尽层位于所述P阱的上方，所述N柱设置于所述两P柱之间，沿所述衬底的横向延伸方向，所述P柱的尺寸小于所述N柱的尺寸,从而能够以更容易通过较高剂量的离子注入进行工艺控制。 |
