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一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构

基本信息

申请号 CN202023221461.1 申请日 -
公开（公告）号 CN213601860U 公开（公告）日 2021-07-02
申请公布号 CN213601860U 申请公布日 2021-07-02
分类号 H01L23/32（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 黄昌民 申请（专利权）人 无锡昌德微电子股份有限公司
代理机构 北京睿博行远知识产权代理有限公司 代理人 张燕平
地址 214000江苏省无锡市新华路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构，涉及IGBT芯片技术领域。本实用新型包括沟槽芯片主体，沟槽芯片主体的一侧装配有第一加强卡板，沟槽芯片主体的另一侧装配有第二加强卡板，第一加强卡板靠近第二加强卡板的一侧面的两端均固定有插板，第二加强卡板靠近第一加强卡板的一侧面的两端均开设有装配槽。本实用新型通过第一加强卡板、第二加强卡板与插板配合，使得装置能够增加装置整体的强度，避免沟槽芯片主体因撞击挤压产生变形，通过固定块、螺纹柱与固定片配合，使得装置能够对固定片的高度进行调节，更加方便对装置整体进行高度微调。