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功率集成二极管及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110542357.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113140559A 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN113140559A 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L27/07（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 黄昌民;李学会 申请（专利权）人 无锡昌德微电子股份有限公司
代理机构 北京睿博行远知识产权代理有限公司 代理人 张燕平
地址 214000江苏省无锡市新华路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种功率集成二极管及其制造方法，包括高压慢恢复二极管、多晶硅二极管和多晶硅电阻，该发明中：功率集成二极管中的阻尼电阻Rdamp能使震荡进行衰减，改善了EMI性能；并联二级管Dclp_2能提升电路效率，且对Mosfet上的尖峰脉冲进行更好嵌位；各P型区均由P‑区和P+区组成以及外延层采用双层外延，使器件反向恢复时间trr进一步增大；终端区P型场限环与有源区P型区同时制造减小了光刻次数，节省了制造成本；中低压多晶硅二极管的P型区与高压慢恢复二极管的P区同时制造，且该多晶硅二极管的P型注入利用场氧进行注入阻挡，不需要单独的光刻，减少工艺步骤，节省制造成本。