用于功率半导体芯片的检测方法
基本信息
| 申请号 | CN201810058136.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108231619B | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN108231619B | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | H01L21/66 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄昌民;詹小勇;张站东 | 申请（专利权）人 | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程爽 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G2栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于功率半导体芯片的检测方法，包括如下步骤：(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；(4)采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。本发明可以检测出带有芯片正表面划伤、芯片边缘缺损、焊料外溢和金属引线中部到框架底板的距离过低等缺陷的产品。 |
