一种铟砷锑体单晶的生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202010658989.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111748846B | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN111748846B | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 滕树龙 | 申请（专利权）人 | 苏州燎塬半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑越 |
| 地址 | 215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道14号（凤凰科技创业园F幢6层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种InAsxSb1‑x（0≤x≤0.1）体单晶的生长装置，该装置采用密闭的安瓿瓶结构，同时结合坩埚下端开口的独特设计，既能够抑制锑元素的挥发，又能够实现三元化合物半导体单晶的择优生长，从而成功制备出大尺寸铟砷锑体单晶。 |
