一种MEMS薄膜半导体气敏传感器阵列识别方法
基本信息
| 申请号 | CN202011401931.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112557459A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112557459A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | G16C20/20(2019.01)I;G01N27/12(2006.01)I;G16C20/70(2019.01)I;G01N33/00(2006.01)I;G06K9/62(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 余岑;李如意;李东风;黄志华;刘红恩 | 申请（专利权）人 | 安徽芯核防务装备技术股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 231400安徽省合肥市高新区望江西路800号D8楼2034号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS薄膜半导体气敏传感器阵列识别方法，包括，已知物质建模：使用传感器阵列对第一类已知物质进行采样，在所述第一类已知物质的挥发气体浓度逐步上升的过程中时刻，得到n个时刻的电导率变化向量集合；对所述电导率变化向量集合进行标准化得到标准化电导率变化向量集合，对所述标准化电导率变化向量集合进行主元分析，获取第一主成分向量；对所述k类已知物质第一主成分向量进行线性判别式分析，计算得到特征变换矩阵，获得样本类，存入特征数据库中；未知物质检测：重复上述步骤，得到投影到特征空间的一个点td，计算td与所述特征数据库中的样本类均值的距离是否小于已有样本聚类的分布直径，判断更接近哪一类气体。 |
