一种制造光衰减器阵列的方法及光衰减器阵列
基本信息
| 申请号 | CN201510573202.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105353469A | 公开（公告）日 | 2016-02-24 |
| 申请公布号 | CN105353469A | 申请公布日 | 2016-02-24 |
| 分类号 | G02B6/26(2006.01)I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 王文辉;钟桂雄;邓江东;李四华;施林伟;李维 | 申请（专利权）人 | 苏州盛维新电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔路南中银花园办公楼A楼22A、B、Ca、Cb、D、E-E8 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于MEMS工艺制造光衰减器阵列的方法，在硅基光学平台上进行封装，输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端，其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分，所述掏空部分可供光纤通过，所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。以及一种光衰减器阵列。该制作方法和得到的光衰减器阵列封装结构更简单，组装工艺简单可靠、稳定可控，成本低。 |
