一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811074077.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109192431A | 公开（公告）日 | 2019-01-11 |
| 申请公布号 | CN109192431A | 申请公布日 | 2019-01-11 |
| 分类号 | H01F1/147;H01F27/25;H01F41/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周国华;李忞;毛文龙;黄从伟 | 申请（专利权）人 | 江西中磁科技协同创新有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 江西中磁科技协同创新有限公司 |
| 地址 | 336000 江西省宜春市环城南路565号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯及制备方法，所说铁基合金材料各成分所占的重量比例为，Si 9‑12％，B 7‑10％，Nb 3‑5％，Cu 1‑2％，M 6‑12％，余下为Fe，M为Ni、Co、Cr、Ga或In。本发明抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯能够在宽频下保持较高恒定磁导率，同时具备良好的抗饱和能力和抗DC‑Bias特性。 |
