减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路
基本信息
| 申请号 | CN201910508468.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110164495A | 公开（公告）日 | 2019-08-23 |
| 申请公布号 | CN110164495A | 申请公布日 | 2019-08-23 |
| 分类号 | G11C11/4074 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 吴君;杜艳强;张学渊;朱光伟 | 申请（专利权）人 | 苏州汇峰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 苏州广恒知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏州汇峰微电子有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园三期9楼A3–A6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路，包括LPDRAM的第一门控电路、第二门控电路和命令控制模块，所述的第一门控电路产生内部第一核心电源VDD1I，所述的第二门控电路分别产生内部第二核心电源VDD2I和数据I/O驱动电路电源VDDQI，所述的命令控制模块产生深度休眠使能信号DPD。通过上述方式，本发明提供的减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路，采用两种电源门控电路，可以在深度休眠模式下关掉绝大部分使用内部第一核心电源和内部第二核心电源的器件，减少整个LPDRAM的静态漏电流。 |
