一种利用选择性接触导电的电池制备方法

基本信息

申请号 CN202010522946.X 申请日 -
公开(公告)号 CN111640826A 公开(公告)日 2020-09-08
申请公布号 CN111640826A 申请公布日 2020-09-08
分类号 H01L31/20(2006.01)I 分类 -
发明人 上官泉元;陈旭 申请(专利权)人 蒙城县比太新能源发展有限公司
代理机构 北京集智东方知识产权代理有限公司 代理人 蒙城县比太新能源发展有限公司;常州比太黑硅科技有限公司
地址 233500安徽省亳州市蒙城县经济开发区安驰大道西侧,经八路东,纬三路北
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种利用选择性接触导电的电池制备方法,包括步骤:1)选择p‑型掺杂或n‑型掺杂晶硅硅片;2)在硅片正反面分别镀氧化硅层;3)在硅片正反面分别镀磷或硼掺杂非晶硅,镀膜后在高温下退火晶化形成掺杂多晶硅;4)在硅片正反面分别镀TCO层;5)在硅片正反面再镀绝缘保护层;6)在硅片正反面印刷用于收集电流的银线,银线经烧结后穿透绝缘保护层以实现和TCO层接触。本发明实现了全覆盖钝化而有效避免了少子复合影响转换效率的问题,且氧化硅钝化实现了高温烧结而有效确保了银浆的导电性和附着力且没有吸收光问题,可以用链式设备镀膜将多道工序整合在一台设备里,极大提高了工效并降低设备投入成本及占地空间。